강유전성 P-E 히스테리시스 루프 측정

비교적 강한 교류 전기장의 작용 하에서 강유전성 물질의 분극 강도 P는 인가된 전기장에 따라 비선형적으로 변합니다. 특정 온도 범위 내에서 P는 전기장 E의 이중 값 함수로 동작하여 히스테리시스 현상을 나타냅니다. 이 P-E(또는 D-E) 루프를 강유전성 히스테리시스 루프라고 합니다.

비교적 강한 교류 전기장 하에서 강유전성 물질의 분극 강도 P는 인가된 전기장에 따라 비선형적으로 변합니다. 특정 온도 범위 내에서 분극 강도 P는 전기장 강도 E의 이중 값 함수로 동작하여 히스테리시스 현상을 일으키고 일반적으로 강유전성 히스테리시스 루프라고 불리는 그림 1과 같이 분극 강도 P와 전기장 강도 E 사이의 관계 곡선을 형성합니다.
이 표준은 강유전성 히스테리시스 루프를 측정하기 위해 Sawyer-Tower 회로를 채택합니다. 교류 전기장은 초저주파 고전압 소스에 의해 공급되며 히스테리시스 루프는 X-Y 기능 레코더를 사용하여 기록됩니다. 측정된 히스테리시스 루프를 바탕으로 보자력 전계 강도 Ec, 잔류 분극 Pr, 자발 분극 Ps가 계산됩니다.

1. 테스트 매개변수: Ec, Pr, Ps
2. 측정 범위: (10–1000) × 10⁻¹² C/N
3. 측정 정확도: ≤ 1%
4. 온도 오류: ≤ ±2°C

1. 권장 샘플 치수: t ≤ 1mm
2. 시험편은 폴링되지 않은 얇은 시트이어야 합니다.
3. 시편의 양쪽 주요 표면은 전극 역할을 하는 금속층으로 코팅되어야 합니다. (BALAB Technology는 전극 코팅 서비스를 제공합니다.)
4、검체는 깨끗하고 건조하게 유지되어야 합니다.

GB/T 6426-1999 강유전성 세라믹 재료의 강유전성 히스테리시스 루프에 대한 준정적 테스트 방법