产品概述
MatMeas 高纯石英坩埚面向半导体晶圆与太阳能光伏制造中的精密单晶生长应用。
采用优质熔融石英（SiO₂ >99.99%）制造，耐冷热冲击优异，在最高 1500°C 极端温度下仍保持结构稳定；低铝与碱金属含量可降低硅锭拉制过程中的污染风险。
提供透明与不透明配置，尺寸可定制以适配主流单晶炉（CGS、Kayex 等）；批发订单支持 OEM/ODM。
技术规格
| 材料成分 | 高纯熔融石英 SiO₂ |
| 纯度等级 | >99.99%（SiO₂ 含量） |
| 铝含量 | <15 ppm |
| 碱金属（Na、K、Li） | <2 ppm |
| 最高工作温度 | 1500°C（短时：1600°C） |
| 软化点 | 约 1650°C |
| 密度 | 2.07–2.21 g/cm³ |
| 热膨胀系数 | 5.5 × 10⁻⁷ /°C（20–300°C） |
| 可选类型 | 透明 / 不透明 / 涂层 |
| 标准尺寸 | 直径 12"–40"（可定制） |
| 壁厚 | 5–15 mm（可定制） |
| 应用 | CZ 硅拉晶、LED 蓝宝石、光纤 |
| 包装 | 洁净室真空包装 |
应用场景
- 半导体硅锭
CZ（直拉）法单晶硅生长，用于 IC 芯片 - 太阳能光伏产业
多晶硅锭拉制，用于太阳能电池 - LED 制造
蓝宝石晶体生长衬底 - 光纤预制棒
高纯玻璃预制棒生产 - 稀土材料
高熔点金属精炼 - 实验室应用
高温化学分析与材料研究
常见问题
H 的主要测量原理是什么？
H 采用先进的电学表征技术，可高精度测量高纯石英坩埚，有效消除接触电阻与温漂干扰。支持哪些样品形状和规格？
系统支持标准的圆片、块体、棒材等多种样品几何形状，并配备专用高可靠性测试夹具。H 是否符合国际实验室标准？
符合。所有测量方法均完全对接 ASTM、IEEE、GB/T 等国际与国家行业标准，确保数据权威可信。