RTS-1000P Système de résistivité à quatre points haute température — 1

Aperçu

Le système de mesure de résistivité à quatre points RMS-1000P haute température est conçu pour la caractérisation de films minces et de plaquettes semi-conductrices. En tant qu'usine expérimentée d'équipements d'essai pour semi-conducteurs, nous proposons une mesure précise de la résistance de feuille et de la résistivité par méthode électrostatique double. Le système traite les films de silicium, germanium, GaAs et ITO avec un montage de sonde à ressort spécialisé, prenant en charge les essais RT–1000 °C sous vide ou en atmosphères contrôlées pour les laboratoires R&D et les fabricants de plaquettes.

Spécifications

Paramètre Valeur
Principe de mesure Méthode à quatre points en ligne ; combinaison de mesures électriques doubles
Mesure principale Résistivité et résistance de feuille
Plage 0,1 mΩ–100 MΩ
Température maximale du four Jusqu'à 1100 °C
Atmosphère Inerte/oxydante/réductrice ; vide ; atmosphère en flux
Caractéristiques notables Levage en un geste ; sonde adaptée aux films minces ; logiciel professionnel pour films minces
Plage de température RT–600 °C / 1000 °C
Précision de régulation de température ±0,5 °C
Méthode de régulation de température Régulation PID de précision
Vitesse de chauffe 0–10 °C/min (typique 3 °C/min)
Plage de résistance 0,1 mΩ ~ 100 MΩ
Plage de résistivité 1 mΩ·cm ~ 10 MΩ·cm
Plage de résistance de feuille 0,1 mΩ ~ 100 MΩ
Spécification de l'échantillon Film mince 15–30 mm, d <4 mm
Méthode de mesure Quatre points électrostatique double
Matériau des électrodes Sondes en carbure de tungstène / platine
Résistance d'isolement des aiguilles ≥1000 MΩ
Matériau isolant Céramique d'alumine 99 %
Affichage Écran tactile couleur 10,1"
Interface de données USB
Interface de communication Port LAN
Stockage des données Format TXT
Dimensions (L×H×l) 630 × 640 × 450 mm
Poids 42,5 kg
Alimentation électrique 220 V ±10 %, 50 Hz, 2,6 kW
Normes ASTM F84, GB/T1551-2009, GB/T1551-1995

Applications

  1. Le RMS-1000P est spécialisé dans la caractérisation de films minces semi-conducteurs, notamment les plaquettes de silicium, substrats de germanium, GaAs, InSb, GaAsAl, GaAsP, semi-conducteurs en solution solide et verre conducteur ITO. Indispensable pour la fabrication de cellules solaires, la production de LED, le développement de circuits intégrés et la recherche sur les films conducteurs transparents.

En savoir plus

Avantage de la méthode à quatre points
La conception classique de sonde en ligne permet d'éviter l'endommagement des échantillons en film mince.
Options d'atmosphère
Prend en charge les atmosphères inertes/oxydantes/réductrices, le vide et le gaz en flux pour les mesures thermodépendantes.

FAQ

  • Quel est le principal principe de mesure du RTS-1000P ?

    Le RTS-1000P est conçu à l'aide de méthodes de caractérisation électrique avancées pour mesurer le résistivimètre à sonde à quatre points avec une précision extrême, éliminant la résistance du plomb et les fluctuations de température.

  • Quels exemples de formes et de formulaires sont pris en charge ?

    Le système prend en charge les géométries d'échantillons standard, notamment les blocs solides, les disques circulaires à feuilles minces et les barres rectangulaires avec des supports de test spécialisés.

  • Le RTS-1000P est-il conforme aux normes internationales de laboratoire ?

    Oui, toutes les mesures sont entièrement conformes aux normes internationales telles que les normes ASTM, IEEE et GB/T pour fournir des données publiables de qualité recherche.

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