RTS-1000S Système de résistivité pour semi-conducteurs haute température — 1

Aperçu

Le système de mesure de résistivité RMS-1000S pour matériaux semi-conducteurs haute température offre des solutions complètes pour la caractérisation de semi-conducteurs massifs. En tant que fournisseur dédié de systèmes d'essai pour semi-conducteurs, nous proposons une mesure précise à deux fils pour le silicium, le germanium, le GaAs, l'InSb et les semi-conducteurs composés. Le montage breveté d'électrodes à ressort avec conception de dissipation thermique garantit un contact stable et une régulation de température précise de RT à 1000 °C, au service des universités, instituts de recherche et fabricants de semi-conducteurs dans le monde entier.

Spécifications

Paramètre Valeur
Principe de mesure Méthode de mesure de résistivité à quatre fils
Mesure principale Résistance et résistivité en fonction de la température/du temps
Température maximale du four Jusqu'à 1100 °C
Précision de régulation de température ±0,5 °C
Atmosphère Inerte/oxydante/réductrice ; vide
Caractéristiques notables Contact ressort + poids propre ; logiciel convivial pour débutants ; diagnostic de défauts
Plage de température RT–600 °C / 1000 °C
Méthode de régulation de température Régulation PID de précision (multi-étages)
Vitesse de chauffe 0–10 °C/min (typique 3 °C/min)
Plage de résistance 0,1 mΩ ~ 100 MΩ
Plage de résistivité 1 mΩ·cm ~ 10 MΩ·cm
Spécification de l'échantillon Ø <20 mm, d <5 mm
Méthode de mesure Méthode à deux fils pour semi-conducteurs
Matériau des électrodes Platine (supérieur/inférieur)
N° de brevet 2019204156568
Affichage Écran tactile couleur 10,1"
Interface de données USB
Stockage des données Format TXT
Dimensions (L×H×l) 630 × 640 × 450 mm
Poids 42,5 kg
Alimentation électrique 220 V ±10 %, 50 Hz, 2,6 kW
Environnement de fonctionnement 5 °C à +40 °C
Normes ASTM standards

Applications

  1. Le RMS-1000S est conçu pour les matériaux semi-conducteurs massifs, notamment le silicium (Si), le germanium (Ge), l'arséniure de gallium (GaAs), l'antimoniure d'indium (InSb), les composés ternaires (GaAsAl, GaAsP) et les semi-conducteurs en solution solide (Ge-Si, GaAs-GaP). Indispensable pour le développement de thermistances PTC/NTC, la recherche sur les semi-conducteurs de puissance et la fabrication de capteurs de température.

En savoir plus

Mesure stable haute température
La conception à contact ressort + poids propre réduit les problèmes de contact et les sauts de données.
Contrôle et diagnostics
La régulation PID multi-étages et les indicateurs de diagnostic de défauts contribuent à maintenir la température et les contacts stables.

FAQ

  • Quel est le principal principe de mesure du RTS-1000S ?

    Le RTS-1000S est conçu à l'aide de méthodes avancées de caractérisation électrique pour mesurer la résistivité des semi-conducteurs avec une extrême précision, éliminant ainsi la résistance du plomb et les fluctuations de température.

  • Quels exemples de formes et de formulaires sont pris en charge ?

    Le système prend en charge les géométries d'échantillons standard, notamment les blocs solides, les disques circulaires à feuilles minces et les barres rectangulaires avec des supports de test spécialisés.

  • Le RTS-1000S est-il conforme aux normes internationales de laboratoire ?

    Oui, toutes les mesures sont entièrement conformes aux normes internationales telles que les normes ASTM, IEEE et GB/T pour fournir des données publiables de qualité recherche.

Produits connexes