Система измерения сопротивления высокотемпературных полупроводников RTS-1000S — 1

Обзор

Система измерения удельного сопротивления высокотемпературных полупроводниковых материалов RMS-1000S предоставляет комплексные решения для определения характеристик объемных полупроводников. Как специализированный поставщик систем тестирования полупроводников, мы предлагаем точные двухпроводные измерения для кремния, германия, GaAs, InSb и сложных полупроводников. Запатентованное подпружиненное крепление электрода с конструкцией рассеивания тепла обеспечивает стабильный контакт и точный контроль температуры от RT-1000°C, обслуживая университеты, исследовательские институты и производители полупроводников по всему миру.

Технические характеристики

Параметр Значение
Принцип измерения Четырехпроводной метод измерения удельного сопротивления
Основное измерение Сопротивление и удельное сопротивление в зависимости от температуры/времени
Максимальная температура печи До 1100°С
Точность контроля температуры ±0,5°С
Атмосфера Инертный/окислительный/восстановительный; вакуум
Примечательные особенности Пружина + контакт собственного веса; программное обеспечение, удобное для начинающих; диагностика неисправностей
Температурный диапазон РТ-600°С/1000°С
Метод контроля температуры Прецизионное ПИД-регулирование (многоступенчатое)
Скорость нагрева 0–10°C/мин (типично 3°C/мин)
Диапазон сопротивления 0,1 мОм ~ 100 МОм
Диапазон удельного сопротивления 1 МОм.см ~ 10 МОм.см
Пример спецификации Ø<20мм, d<5мм
Метод измерения Двухпроводной метод для полупроводников
Материал электрода Платина (верхняя/нижняя)
Патент № 2019204156568
Дисплей Цветной сенсорный экран 10,1 дюйма
Интерфейс данных USB
Хранение данных Формат TXT
Размеры (Д×В×Ш) 630×640×450 мм
Вес 42,5 кг
Источник питания 220 В±10%, 50 Гц, 2,6 кВт
Рабочая среда от 5°С до +40°С
Стандарты Стандарты ASTM

Приложения

  1. RMS-1000S предназначен для объемных полупроводниковых материалов, включая кремний (Si), германий (Ge), арсенид галлия (GaAs), антимонид индия (InSb), тройные соединения (GaAsAl, GaAsP) и полупроводники твердого раствора (Ge-Si, GaAs-GaP). Необходим для разработки термисторов PTC/NTC, исследований силовых полупроводников и производства датчиков температуры.

Подробнее

Стабильное измерение высоких температур
Пружинная конструкция контактов с собственным весом уменьшает проблемы с контактами и скачки данных.
Контроль и диагностика
Многоступенчатое ПИД-регулирование и индикаторы диагностики неисправностей помогают поддерживать стабильную температуру и контакты.

Часто задаваемые вопросы

  • Каков основной принцип измерения RTS-1000S?

    RTS-1000S разработан с использованием передовых методов определения электрических характеристик для измерения удельного сопротивления полупроводников с предельной точностью, исключая сопротивление выводов и температурные колебания.

  • Какие формы и формы образцов поддерживаются?

    Система поддерживает образцы стандартной геометрии, включая сплошные блоки, круглые тонколистовые диски и прямоугольные стержни со специальными испытательными приспособлениями.

  • Соответствует ли РТС-1000С международным лабораторным стандартам?

    Да, все измерения полностью соответствуют международным нормам, таким как стандарты ASTM, IEEE и GB/T, что позволяет предоставлять публикуемые данные исследовательского уровня.

Сопутствующие товары