RMS-1000S Hochtemperatur-System zur Spezifischen-Widerstandsmessung von Halbleitern — 1

Übersicht

Das RMS-1000S Hochtemperatur-Messsystem zur Spezifischen-Widerstandsmessung von Halbleitermaterialien bietet umfassende Lösungen für die Charakterisierung massiver Halbleiter. Als spezialisierter Anbieter von Halbleiter-Prüfsystemen liefern wir präzise Zweileiter-Messungen für Silizium, Germanium, GaAs, InSb und Verbindungshalbleiter. Die patentierte federbelastete Elektrodenhalterung mit Wärmeabfuhr-Design gewährleistet stabilen Kontakt und genaue Temperaturregelung von RT bis 1000 °C – für Universitäten, Forschungsinstitute und Halbleiterhersteller weltweit.

Spezifikationen

Parameter Wert
Messprinzip Vier-Leiter-Methode zur Spezifischen-Widerstandsmessung
Hauptmessgröße Widerstand und spezifischer Widerstand über Temperatur/Zeit
Max. Ofentemperatur Bis zu 1100°C
Temperaturregelgenauigkeit ±0.5°C
Atmosphäre Inert/oxidierend/reduzierend; Vakuum
Besondere Merkmale Feder- und Eigengewichtskontakt; einsteigerfreundliche Software; Fehlerdiagnose
Temperaturbereich RT-600°C / 1000°C
Temperaturregelung PID-Präzisionsregelung (mehrstufig)
Heizrate 0-10°C/min (typisch 3°C/min)
Widerstandsbereich 0.1mΩ ~ 100MΩ
Spezifischer-Widerstandsbereich 1mΩ.cm ~ 10MΩ.cm
Probenspezifikation Ø<20mm, d<5mm
Messverfahren Zweileiter-Methode für Halbleiter
Elektodenmaterial Platin (oben/unten)
Patent-Nr. 2019204156568
Display 10,1" Farb-Touchscreen
Datenschnittstelle USB
Datenspeicherung TXT-Format
Abmessungen (L×H×B) 630×640×450mm
Gewicht 42.5kg
Stromversorgung 220V±10%, 50Hz, 2.6kW
Betriebsumgebung 5°C bis +40°C
Normen ASTM-Normen

Anwendungen

  1. Der RMS-1000S ist für massive Halbleitermaterialien ausgelegt, darunter Silizium (Si), Germanium (Ge), Galliumarsenid (GaAs), Indiumantimonid (InSb), ternäre Verbindungen (GaAsAl, GaAsP) und Mischkristall-Halbleiter (Ge-Si, GaAs-GaP). Unverzichtbar für die Entwicklung von PTC/NTC-Thermistoren, die Leistungshalbleiterforschung und die Fertigung von Temperatursensoren.

Weitere Details

Stabile Hochtemperaturmessung
Feder- und Eigengewichtskontakt reduziert Kontaktprobleme und Datensprünge.
Regelung und Diagnose
Mehrstufige PID-Regelung und Fehlerdiagnose-Anzeigen helfen, Temperatur und Kontakte stabil zu halten.

FAQ

  • Was ist das primäre Messprinzip des RTS-1000S?

    Das RTS-1000S wurde mithilfe fortschrittlicher elektrischer Charakterisierungsmethoden entwickelt, um die Widerstandsmessung von Halbleitern mit äußerster Präzision zu messen und dabei Leitungswiderstände und Temperaturschwankungen zu eliminieren.

  • Welche Beispielformen und Formen werden unterstützt?

    Das System unterstützt Standardprobengeometrien, einschließlich massiver Blöcke, kreisförmiger Dünnblechscheiben und rechteckiger Stangen mit speziellen Testvorrichtungen.

  • Entspricht RTS-1000S den internationalen Laborstandards?

    Ja, alle Messungen entsprechen vollständig internationalen Normen wie ASTM, IEEE und GB/T-Standards, um veröffentlichungsfähige Daten in Forschungsqualität zu liefern.

Verwandte Produkte