Sistema de resistividad de semiconductores de alta temperatura RTS-1000S — 1

Descripción general

El sistema de medición de resistividad de materiales semiconductores de alta temperatura RMS-1000S proporciona soluciones integrales para la caracterización de semiconductores a granel. Como proveedor exclusivo de sistemas de prueba de semiconductores, ofrecemos mediciones precisas con dos hilos para semiconductores de silicio, germanio, GaAs, InSb y compuestos. El accesorio de electrodo con resorte patentado con diseño de disipación de calor garantiza un contacto estable y un control preciso de la temperatura desde RT-1000 °C, al servicio de universidades, institutos de investigación y fabricantes de semiconductores en todo el mundo.

Especificaciones

Parámetro Valor
Principio de medición Método de medición de resistividad de cuatro hilos
Medición principal Resistencia y resistividad frente a temperatura/tiempo
Temperatura máxima del horno Hasta 1100°C
Precisión del control de temperatura ±0,5 °C
Atmósfera Inerte/oxidante/reductor; vacío
Características notables Contacto resorte + peso propio; software apto para principiantes; diagnóstico de fallas
Rango de temperatura RT-600°C / 1000°C
Método de control de temperatura Control de precisión PID (multietapa)
Tasa de calentamiento 0-10°C/min (típico 3°C/min)
Rango de resistencia 0,1 mΩ ~ 100 MΩ
Rango de resistividad 1mΩ.cm ~ 10MΩ.cm
Especificación de muestra Ø<20mm, d<5mm
Método de medición Método de dos hilos para semiconductores
Material del electrodo Platino (superior/inferior)
Patente No. 2019204156568
Mostrar Pantalla táctil a color de 10,1"
Interfaz de datos USB
Almacenamiento de datos Formato TXT
Dimensiones (L×H×W) 630×640×450mm
Peso 42,5kg
Fuente de alimentación 220V±10%, 50Hz, 2,6kW
Ambiente de trabajo 5°C a +40°C
Normas Normas ASTM

Aplicaciones

  1. RMS-1000S está diseñado para materiales semiconductores a granel, incluidos silicio (Si), germanio (Ge), arseniuro de galio (GaAs), antimoniuro de indio (InSb), compuestos ternarios (GaAsAl, GaAsP) y semiconductores de solución sólida (Ge-Si, GaAs-GaP). Esencial para el desarrollo de termistores PTC/NTC, la investigación de semiconductores de potencia y la fabricación de sensores de temperatura.

Más detalles

Medición estable de alta temperatura
El diseño de contacto con resorte y peso propio reduce los problemas de contacto y los saltos de datos.
Control y diagnóstico
Los indicadores de diagnóstico de fallas y control PID de múltiples etapas ayudan a mantener estables la temperatura y los contactos.

Preguntas frecuentes

  • ¿Cuál es el principio de medición principal del RTS-1000S?

    RTS-1000S está diseñado utilizando métodos avanzados de caracterización eléctrica para medir la resistividad de semiconductores con extrema precisión, eliminando la resistencia de los cables y las fluctuaciones de temperatura.

  • ¿Qué formas y formas de muestra se admiten?

    El sistema admite geometrías de muestra estándar, incluidos bloques sólidos, discos circulares de lámina delgada y barras rectangulares con accesorios de prueba especializados.

  • ¿RTS-1000S cumple con los estándares internacionales de laboratorio?

    Sí, todas las mediciones se alinean completamente con normas internacionales como ASTM, IEEE y GB/T para brindar datos publicables con calidad de investigación.

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