Sistema di resistività a semiconduttore ad alta temperatura RTS-1000S — 1

Panoramica

Il sistema di misurazione della resistività dei materiali semiconduttori ad alta temperatura RMS-1000S fornisce soluzioni complete per la caratterizzazione di semiconduttori in massa. In qualità di fornitore dedicato di sistemi di test per semiconduttori, offriamo misurazioni precise a due fili per silicio, germanio, GaAs, InSb e semiconduttori composti. Il dispositivo brevettato per elettrodi caricato a molla con design di dissipazione del calore garantisce un contatto stabile e un controllo accurato della temperatura da RT-1000 °C, al servizio di università, istituti di ricerca e produttori di semiconduttori in tutto il mondo.

Specifiche

Parametro Valore
Principio di misurazione Metodo di misurazione della resistività a quattro fili
Misura principale Resistenza e resistività rispetto a temperatura/tempo
Temperatura massima del forno Fino a 1100°C
Precisione del controllo della temperatura ±0,5°C
Atmosfera Inerte/ossidante/riducente; vuoto
Caratteristiche notevoli Contatto molla + peso proprio; software adatto ai principianti; diagnosi dei guasti
Intervallo di temperatura RT-600°C / 1000°C
Metodo di controllo della temperatura Controllo di precisione PID (multistadio)
Tasso di riscaldamento 0-10°C/min (tipico 3°C/min)
Intervallo di resistenza 0,1 mΩ ~ 100 MΩ
Intervallo di resistività 1mΩ.cm ~ 10MΩ.cm
Specifica del campione Ø<20mm, d<5mm
Metodo di misurazione Metodo a due fili per semiconduttori
Materiale dell'elettrodo Platino (superiore/inferiore)
Brevetto n. 2019204156568
Visualizza Touchscreen a colori da 10,1"
Interfaccia dati USB
Memorizzazione dati Formato TXT
Dimensioni (L×H×P) 630×640×450 mm
Peso 42,5 kg
Alimentazione 220 V±10%, 50 Hz, 2,6 kW
Ambiente di lavoro da 5°C a +40°C
Norme Norme ASTM

Applicazioni

  1. RMS-1000S è progettato per materiali semiconduttori sfusi tra cui silicio (Si), germanio (Ge), arseniuro di gallio (GaAs), antimoniuro di indio (InSb), composti ternari (GaAsAl, GaAsP) e semiconduttori in soluzione solida (Ge-Si, GaAs-GaP). Essenziale per lo sviluppo di termistori PTC/NTC, la ricerca sui semiconduttori di potenza e la produzione di sensori di temperatura.

Maggiori dettagli

Misurazione stabile delle alte temperature
Il design a molla + contatto a peso proprio riduce i problemi di contatto e i salti di dati.
Controllo e diagnostica
Il controllo PID multistadio e gli indicatori di diagnosi dei guasti aiutano a mantenere stabili la temperatura e i contatti.

Domande frequenti

  • Qual è il principio di misurazione primario di RTS-1000S?

    RTS-1000S è progettato utilizzando metodi avanzati di caratterizzazione elettrica per misurare la resistività dei semiconduttori con estrema precisione, eliminando la resistenza dei conduttori e le fluttuazioni di temperatura.

  • Quali forme e forme campione sono supportate?

    Il sistema supporta geometrie di campioni standard tra cui blocchi solidi, dischi circolari in lamiera sottile e barre rettangolari con dispositivi di prova specializzati.

  • RTS-1000S è conforme agli standard di laboratorio internazionali?

    Sì, tutte le misurazioni sono completamente in linea con le norme internazionali come ASTM, IEEE e gli standard GB/T per fornire dati pubblicabili e di livello di ricerca.

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