产品概述
RMS-1000P 高温四探针电阻率测量系统面向半导体薄膜与晶圆表征。作为成熟的半导体测试设备制造商，我们采用双静电法实现精确的方阻与电阻率测量。系统配备专用弹簧探针夹具，可测试硅、锗、GaAs 及 ITO 薄膜，支持室温至 1000°C 的真空或可控气氛测试，服务于研发实验室与晶圆制造企业。
技术规格
| 参数 | 指标 |
| 测量原理 | 直线四探针法；双电测组合 |
| 主要测量 | 电阻率与方阻 |
| 量程 | 0.1 mΩ–100 MΩ |
| 最高炉温 | 最高 1100°C |
| 气氛 | 惰性/氧化/还原；真空；流动气氛 |
| 主要特点 | 一键升降；薄膜友好探针；专业薄膜软件 |
| 温度范围 | RT-600°C / 1000°C |
| 控温精度 | ±0.5°C |
| 控温方式 | PID 精密控温 |
| 升温速率 | 0-10°C/min（典型 3°C/min） |
| 电阻量程 | 0.1mΩ ~ 100MΩ |
| 电阻率量程 | 1mΩ·cm ~ 10MΩ·cm |
| 方阻量程 | 0.1mΩ ~ 100MΩ |
| 样品规格 | 薄膜 15-30 mm，厚度 d<4 mm |
| 测量方法 | 四探针双静电法 |
| 电极材料 | 碳化钨 / 铂探针 |
| 探针绝缘电阻 | ≥1000MΩ |
| 绝缘材料 | 99% 氧化铝陶瓷 |
| 显示 | 10.1" 彩色触摸屏 |
| 数据接口 | USB |
| 通讯接口 | LAN 网口 |
| 数据存储 | TXT 格式 |
| 外形尺寸（长×高×宽） | 630×640×450 mm |
| 重量 | 42.5 kg |
| 电源 | 220V±10%，50Hz，2.6 kW |
| 执行标准 | ASTM F84，GB/T1551-2009，GB/T1551-1995 |
应用场景
- RMS-1000P 专用于半导体薄膜表征，包括硅晶圆、锗衬底、GaAs、InSb、GaAsAl、GaAsP、固溶体半导体及 ITO 导电玻璃，广泛应用于太阳能电池制造、LED 生产、集成电路研发与透明导电膜研究。
更多详情
四探针优势
经典直线探针布局，有助于避免损伤薄膜样品。
气氛选项
支持惰性/氧化/还原气氛、真空及流动气体，便于开展变温测量。
常见问题
RTS-1000P 的主要测量原理是什么？
RTS-1000P 采用先进的电学表征技术，可高精度测量four-point probe resistivity meter，有效消除接触电阻与温漂干扰。支持哪些样品形状和规格？
系统支持标准的圆片、块体、棒材等多种样品几何形状，并配备专用高可靠性测试夹具。RTS-1000P 是否符合国际实验室标准？
符合。所有测量方法均完全对接 ASTM、IEEE、GB/T 等国际与国家行业标准，确保数据权威可信。
